南车时代：大功率半导体器件IGBT产业化建设项目
2013-11-15 来源：
本文摘要：株洲南车时代电气股份有限公司即将在高交会上带来的大功率半导体器件IGBT产业化建设项目却是节能减排的大手笔。
我们每天在乘坐交通工具的时候，可以很容易地感受其便利性，但却很少了解其对能源的消耗、对环境的影响等等。当然，已经意识到这些问题的人会尽可能选择骑自行车或步行，但为数不多，对环境的改善之力也微乎其微。株洲南车时代电气股份有限公司即将在高交会上带来的大功率半导体器件IGBT产业化建设项目却是节能减排的大手笔。
株洲南车时代电气股份有限公司目前已拥有4英寸器件生产基地、6英寸器件生产基地和英国林肯生产基地，年产能100万只，销售规模达6亿元人民币，并成功进入高压直流输电(HVDC)、机车牵引与传动、高压无功功率补偿(SVC)、大电流电源、电机软启动、风力发电、工业传动、电机励磁、感应加热等领域。
大功率半导体器件IGBT产业化建设项目是该公司的一个大手笔，该公司拟15亿元在轨道交通千亿产业园建设一条年产12万元8英寸IGBT芯片生产线，同时具备年产100万只大功率IGBT模块的封装和测试能力。该项目已于2010年6月启动，项目建成后可满足电动汽车、轨道交通、智能电网等领域对大功率IGBT的巨大市场需求，改变此类产品依赖进口的不利局面，并可推动节能减排。
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